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矩陣鎖存器是如何工作的?

EDA365 ? 2020-07-08 11:30 ? 次閱讀

對于計算機我們肯定都很熟悉,它的內部有ALU進行算術和邏輯運算,可是他們運算得出的結果怎么辦?扔掉嗎?那這個計算就沒有任何意義了。

因此,那些計算出來的結果就需要存起來,于是就有了計算機內存。

當打游戲或者編輯某個文檔且進入尾聲的時候,電源被切斷的慘痛經歷大家應該都經歷過,再次打開電腦的時候,上次的數據都沒了,這就是隨機存取存儲器,簡稱RAM,還有一種就是電源關閉了數據還在,這就是持久存儲。

上面的有沒有理解不重要,現在我們從簡單的只能存1個bit電路開始,來了解一下內存的工作原理吧!

先看OR門,將輸出傳回輸入,看看發生了什么?

矩陣鎖存器是如何工作的?

首先,將兩個輸入A、B均設為0,“0 OR 0”是0,輸出0;如果將A變成1“1 OR 0”為1,輸出1,輸出回到B,B變為1,后面再怎么改變A的值,輸出仍然為1,這個電路可以用來記錄1。

再來看看AND門

將A和B都設為1,“1 AND 1”的輸出是1;如果將A變為0,輸出0,輸出回到B,B變為0,后面再怎么改變A的值,輸出仍然為0,這個電路記錄0。

現在有了記錄1和0的電路,為了做出有用的存儲(memory),我們將兩個電路合起來,變成了“AND-OR鎖存器”

它有兩個輸入,“設置”( SET )和“復位” ( RESET ),如果“設置”和“復位”都是0,電路的輸出就是最后放入的內容,它存住了1 bit的信息,這就是存儲!

注:之所以叫“鎖存”,是因為它“鎖定”一個特定值并保持狀態不變。數據放入叫“寫入” ,數據輸出叫“讀取”。

矩陣鎖存器是如何工作的?

用兩個輸入SET和RESET有點麻煩,為了更方便,我們只用一個輸入線,將它設為0或1來存儲值,再加一根“允許輸入線”來“啟用”(enable)內存,啟用時允許寫入,未啟用時“鎖定”,再與一些額外邏輯門就可以組成一個叫“門鎖”(Gated Latch)的電路。

剛剛我們只存了1bit,沒什么大用,但如果我們并排放8個鎖存器,就可以存8位信息,這個8bit數字組的鎖存器叫“寄存器”,寄存器能存多少個Bit叫“位寬”。

早期電腦用8位寄存器,然后是16位,32位,如今大多計算機都是64位寬的寄存器。

矩陣鎖存器是如何工作的?

在寫入寄存器之前,要啟用里面所有鎖存器,我們可以用一根線連接所有“允許輸入線”,并設為1,然后用8條數據線發數據,最后將“允許寫入線”設回0,8bit的值就存好了。

對于bit少的,這樣并排擺放鎖存器可以,可是對于64位寄存器要64根數據線,64根連到輸出端,這怎么辦?

幸運的是,只要1根線啟用所有鎖存器,這樣加起來也要129根線;那存256個bit,要513根線,存放的數據越多,需要的線就越多,那有什么好的解決方法嗎?

矩陣鎖存器是如何工作的?

解決方法就是用矩陣!

在矩陣中,我們將鎖存器做成網格,那么存256位只需要16x16的鎖存器。

讓我們看看矩陣鎖存器是如何工作的吧?

如果想打開某個鎖存器,就打開這個鎖存器交叉處的“允許寫入線”,這種行/列配置方法,需要一根共享的“允許寫入線”連接所有鎖存器,為了使鎖存器變為“允許寫入”狀態,行線、列線和“允許寫入線”都必須為1,而且每次只能有1個鎖存器啟用并鎖存數據,這樣就可以用一根“數據線”連接所有鎖存器來傳數據。

這樣256位的存儲,只需要35根線——1根“數據線”,1根“允許寫入線”,1根“允許讀取線”和16行16列的用于選擇鎖存器的線。

為了將地址轉成行和列,我們需要一個叫“多路復用器”的部件,它的工作方式是:當輸入一個4 bit數字時,它會把那根線連到相應的輸出線,如果輸入0000,它會選擇第一列;如果輸入0001,則選擇下一列,依此類推。

一個多路復用器處理行(row),另一個多路復用器處理列(column),那么把256位內存當成一個組件來看,它需要一個8bit地址:4bit代表哪一列,4 bit 代表哪一行,還需要“允許寫入線”和“允許讀取線”,最后,還需要一條數據線,用于讀/寫數據。

今天,我們用鎖存器做了一塊SRAM(靜態隨機存取存儲器),還有其他類型的RAM,如DRAM,閃存和NVRAM,它們在功能上與SRAM相似,比如用不同的邏輯門,電容器,電荷陷阱或憶阻器等,但從根本上說,所有這些技術都是用矩陣層層嵌套存儲大量信息的,有沒有覺得很不可思議呢?
? ? ? ?責任編輯:pj

原文標題:數據是如何存入計算機的?

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這個10位觸發器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 < p> SN74ALVCH16820的觸發器是邊沿觸發的D型觸發器。在時鐘(CLK)輸入的正跳變時,器件在Q輸出端提供真實數據。 緩沖輸出使能(OE)輸入可用于將10個輸出放入正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \輸入不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 為確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應連接到VCC通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于將未使用或未驅動的輸入保持在有效的邏輯電平。不建議在上拉電路中使用上拉或下拉電阻。 特性 德州儀器廣播公司的成員?系列 數據輸入端的總線保持消除了對外部上拉/下拉電阻的需求 每個JESD的閂鎖性能超過250 mA 17 ESD保護超過JESD 22 2000-V人體模型(...
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SN74ALVCH16820 具有雙路輸出和三態輸出的 3.3V 10 位觸發器

SN74ABT16374A 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

'ABT16374A是16位邊沿觸發D型觸發器,具有3態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗而設計負載。它們特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 這些器件可用作兩個8位觸發器或一個16位觸發器。在時鐘(CLK)輸入的正跳變時,觸發器的Q輸出采用在數據(D)輸入處設置的邏輯電平。 緩沖輸出使能(OE \)輸入可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 當VCC介于0和2.1 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保2.1 V以上的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 SN54ABT16374A的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 SN74ABT16374A的特點是在-40°C至85°C的溫度范圍內工作。 特性 ...
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SN74ABT16374A 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

SN74AHCT16374 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

'AHCT16374器件是16位邊沿觸發D型觸發器,具有3態輸出,專為驅動高電容或相對較低的電容而設計阻抗負載。它們特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 這些器件可用作兩個8位觸發器或一個16位觸發器。在時鐘(CLK)輸入的正跳變時,觸發器的Q輸出取數據(D)輸入的邏輯電平。 緩沖輸出使能(OE \)輸入可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 為了確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 SN54AHCT16374的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 SN74AHCT16374的工作溫度范圍為-40°C至85°C。   特性 德州儀器WidebusTM家庭成員 EPICTM(...
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SN74AHCT16374 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

CY74FCT162374T 具有三態輸出的 16 位邊沿觸發 D 類觸發器

CY74FCT16374T和CY74FCT162374T是16位D型寄存器,設計用作高速,低功耗總線應用中的緩沖寄存器。通過連接輸出使能(OE)和時鐘(CLK)輸入,這些器件可用作兩個獨立的8位寄存器或單個16位寄存器。流通式引腳排列和小型收縮包裝有助于簡化電路板布局。 使用Ioff為部分斷電應用完全指定此設備。 Ioff電路禁用輸出,防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。 CY74FCT16374T非常適合驅動高電容負載和低阻抗背板。 CY74FCT162374T具有24 mA平衡輸出驅動器,輸出端帶有限流電阻。這減少了對外部終端電阻的需求,并提供最小的下沖和減少的接地反彈。 CY74FCT162374T非常適合驅動傳輸線。 特性 Ioff支持部分省電模式操作 邊沿速率控制電路用于顯著改善的噪聲特性 典型的輸出偏斜< 250 ps ESD&gt; 2000V TSSOP(19.6密耳間距)和SSOP(25密耳間距)封裝 工業溫度范圍-40°C至+ 85°C VCC= 5V±10% CY74FCT16374T特點: ...
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CY74FCT162374T 具有三態輸出的 16 位邊沿觸發 D 類觸發器

SN74ALVCH16260 具有三態輸出的 12 位至 24 位多路復用 D 類鎖存器

這個12位至24位多路復用D型鎖存器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16260用于必須將兩個獨立數據路徑復用到單個數據路徑或從單個數據路徑解復用的應用中。典型應用包括在微處理器或總線接口應用中復用和/或解復用地址和數據信息。該器件在存儲器交錯應用中也很有用。 三個12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或數據傳輸。輸出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)輸入控制總線收發器功能。 OE1B \和OE2B \控制信號還允許在A到B方向上進行存儲體控制。 可以使用內部存儲鎖存器存儲地址和/或數據信息。鎖存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)輸入用于控制數據存儲。當鎖存使能輸入為高電平時,鎖存器是透明的。當鎖存使能輸入變為低電平時,輸入端的數據被鎖存并保持鎖存,直到鎖存使能輸入返回高電平為止。 確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 < p> SN74ALVCH16260的工...
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SN74ALVCH16260 具有三態輸出的 12 位至 24 位多路復用 D 類鎖存器

SN74ALVCH16374 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

這個16位邊沿觸發D型觸發器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16374特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。它可以用作兩個8位觸發器或一個16位觸發器。在時鐘(CLK)輸入的正跳變時,觸發器的Q輸出取數據(D)輸入的邏輯電平。 OE \可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 為確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應連接到VCC通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 有源總線保持電路將未使用或未驅動的輸入保持在有效的邏輯狀態。不建議在上拉電路中使用上拉或下拉電阻。 特性 德州儀器廣播公司的成員?系列 工作電壓范圍為1.65至3.6 V 最大tpd為4.2 ns,3.3 V ±24-mA輸出驅動在3.3 V 數據輸入...
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SN74ALVCH16374 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

SN74ALVCH16373 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

這個16位透明D型鎖存器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。該器件可用作兩個8位鎖存器或一個16位鎖存器。當鎖存使能(LE)輸入為高電平時,Q輸出跟隨數據(D)輸入。當LE變為低電平時,Q輸出鎖存在D輸入設置的電平。 緩沖輸出使能(OE)輸入可用于將8個輸出置于正常狀態邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響鎖存器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 為確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應連接到VCC通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 有源總線保持電路將未使用或未驅動的輸入保持在有效的邏輯狀態。不建議在上拉電路中使用上拉或下拉電阻。 特性 德州儀器廣播公司的成員?系列 工作電壓范圍為1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns,3.3 V ...
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SN74ALVCH16373 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

SN74LVCH16373A 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

這個16位透明D型鎖存器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 特性 德州儀器寬帶總線系列成員 典型VOLP(輸出接地反彈) &lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C 典型VOHV(輸出V < sub> OH Undershoot) &gt; 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25°C Ioff支持實時插入,部分 - 電源關閉模式和后驅動保護 支持混合模式信號操作(具有3.3VVCC的5V輸入和輸出電壓) < li>數據輸入端的總線保持消除了對外部上拉或下拉電阻的需求 每個JESD的閂鎖性能超過250 mA 17 ESD保護超過JESD 22 < ul> 2000-V人體模型(A114-A) 200-V機型(A115-A) 參數 與其它產品相比 D 類鎖存器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) ...
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SN74LVCH16373A 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

SN74ABTH16260 具有三態輸出的 12 位至 24 位多路復用 D 類鎖存器

SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路復用D型鎖存器,用于必須復用兩條獨立數據路徑的應用中,或者從單個數據路徑中解復用。典型應用包括在微處理器或總線接口應用中復用和/或解復用地址和數據信息。該器件在存儲器交錯應用中也很有用。 三個12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或數據傳輸。輸出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)輸入控制總線收發器功能。 OE1B \和OE2B \控制信號還允許A-to-B方向的存儲體控制。 可以使用內部存儲鎖存器存儲地址和/或數據信息。鎖存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)輸入用于控制數據存儲。當鎖存使能輸入為高電平時,鎖存器是透明的。當鎖存使能輸入變為低電平時,輸入端的數據被鎖存并保持鎖存狀態,直到鎖存使能輸入返回高電平為止。 當VCC介于0和2.1 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保2.1 V以上的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 ...
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SN74ABTH16260 具有三態輸出的 12 位至 24 位多路復用 D 類鎖存器

SN74ABT162823A 具有三態輸出的 18 位總線接口觸發器

這些18位總線接口觸發器具有3態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現更寬的緩沖寄存器,I /O端口,帶奇偶校驗的雙向總線驅動器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作兩個9位觸發器或一個18位觸發器。當時鐘使能(CLKEN)\輸入為低電平時,D型觸發器在時鐘的低到高轉換時輸入數據。將CLKEN \置為高電平會禁用時鐘緩沖器,從而鎖存輸出。將清零(CLR)\輸入設為低電平會使Q輸出變為低電平而與時鐘無關。 緩沖輸出使能(OE)\輸入將9個輸出置于正常邏輯狀態(高電平)或低電平)或高阻抗狀態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動器提供了驅動總線線路的能力,無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 輸出設計為源電流或吸收電流高達12 mA,包括等效的25- 串聯電阻,用于減少過沖和下沖。 這些器件完全符合熱插拔規定使用Ioff和上電3狀態的應用程序。 Ioff電路禁用輸出,防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。上電和斷電期間,上電三態電路將輸出置...
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SN74ABT162823A 具有三態輸出的 18 位總線接口觸發器

SN74ABTH162260 具有串聯阻尼電阻和三態輸出的 12 位到 24 位多路復用 D 類鎖存器

'ABTH162260是12位至24位多路復用D型鎖存器,用于兩個獨立數據路徑必須復用或復用的應用中。 ,單一數據路徑。典型應用包括在微處理器或總線接口應用中復用和/或解復用地址和數據信息。這些器件在存儲器交錯應用中也很有用。 三個12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或數據傳輸。輸出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)輸入控制總線收發器功能。 OE1B \和OE2B \控制信號還允許A-to-B方向的存儲體控制。 可以使用內部存儲鎖存器存儲地址和/或數據信息。鎖存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)輸入用于控制數據存儲。當鎖存使能輸入為高電平時,鎖存器是透明的。當鎖存使能輸入變為低電平時,輸入端的數據被鎖存并保持鎖存狀態,直到鎖存使能輸入返回高電平為止。 B端口輸出設計為吸收高達12 mA的電流,包括等效的25系列電阻,以減少過沖和下沖。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 當VCC介于0和2.1 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保2.1 V以上的高阻態,OE \應通過...
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SN74ABTH162260 具有串聯阻尼電阻和三態輸出的 12 位到 24 位多路復用 D 類鎖存器

SN74ABT162841 具有三態輸出的 20 位總線接口 D 類鎖存器

這些20位透明D型鎖存器具有同相三態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作兩個10位鎖存器或一個20位鎖存器。鎖存使能(1LE或2LE)輸入為高電平時,相應的10位鎖存器的Q輸出跟隨數據(D)輸入。當LE變為低電平時,Q輸出鎖存在D輸入設置的電平。 緩沖輸出使能(10E或2OE)輸入可用于放置輸出。相應的10位鎖存器處于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。 輸出設計為吸收高達12 mA的電流,包括等效的25- 用于減少過沖和下沖的串聯電阻。 這些器件完全適用于使用I的熱插入應用關閉并啟動3狀態。 Ioff電路禁用輸出,防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。上電和斷電期間,上電三態電路將輸出置于高阻態,從而防止驅動器沖突。 為確保上電或斷電期間的高阻態, OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 OE \不影響鎖存器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據...
發表于 10-11 10:43 ? 104次 閱讀
SN74ABT162841 具有三態輸出的 20 位總線接口 D 類鎖存器

SN74ALVTH16821 具有三態輸出的 2.5V/3.3V 20 位總線接口觸發器

'ALVTH16821器件是20位總線接口觸發器,具有3態輸出,設計用于2.5 V或3.3 VVCC操作,但能夠為5 V系統環境提供TTL接口。 這些器件可用作兩個10位觸發器或一個20位觸發器。 20位觸發器是邊沿觸發的D型觸發器。在時鐘(CLK)的正跳變時,觸發器存儲在D輸入端設置的邏輯電平。 緩沖輸出使能(OE \)輸入可用于將10個輸出置于正常邏輯狀態(高電平或低電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 當VCC介于0和1.2 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保1.2 V以上的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 SN54ALVTH16821的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 SN74ALVTH16821的工作溫度范圍為-40&de...
發表于 10-11 10:35 ? 32次 閱讀
SN74ALVTH16821 具有三態輸出的 2.5V/3.3V 20 位總線接口觸發器

SN74ALVTH16374 具有三態輸出的 2.5V/3.3V 16 位邊沿 D 類觸發器

'ALVTH16374器件是16位邊沿觸發D型觸發器,具有3態輸出,設計用于2.5V或3.3VV < sub> CC 操作,但能夠為5 V系統環境提供TTL接口。這些器件特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 這些器件可用作兩個8位觸發器或一個16位翻轉器。翻牌。在時鐘(CLK)的正跳變時,觸發器存儲在數據(D)輸入處設置的邏輯電平。 緩沖輸出使能(OE)輸入可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE不影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 /p> 當VCC介于0和1.2 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保1.2 V以上的高阻態,OE應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 SN54ALVTH16374的特點是在-55°C至125°C的整個軍用溫度...
發表于 10-11 10:31 ? 39次 閱讀
SN74ALVTH16374 具有三態輸出的 2.5V/3.3V 16 位邊沿 D 類觸發器

SN74ABTH16823 具有三態輸出的 18 位總線接口觸發器

這些18位觸發器具有3態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現更寬的緩沖寄存器,I /O端口,帶奇偶校驗的雙向總線驅動器和工作寄存器。 'ABTH16823可用作兩個9位觸發器或一個18位觸發器。當時鐘使能(CLKEN \)輸入為低電平時,D型觸發器在時鐘的低到高轉換時輸入數據。將CLKEN \置為高電平會禁用時鐘緩沖器,鎖存輸出。將清零(CLR \)輸入置為低電平會使Q輸出變為低電平,與時鐘無關。 緩沖輸出使能(OE \)輸入可用于將9個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 當VCC介于0和2.1 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保2.1 V以上的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 ...
發表于 10-10 17:15 ? 91次 閱讀
SN74ABTH16823 具有三態輸出的 18 位總線接口觸發器

SN74AHCT16373 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

SNxAHCT16373器件是16位透明D型鎖存器,具有3態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 特性 德州儀器Widebus™系列的成員 EPIC™(增強型高性能注入CMOS)工藝 輸入兼容TTL電壓 分布式VCC和GND引腳最大限度地提高高速 開關噪聲 流通式架構優化PCB布局 每個JESD的閂鎖性能超過250 mA 17 ESD保護每個MIL-STD超過2000 V- 883, 方法3015;使用機器型號超過200 V(C = 200 pF,R = 0) 封裝選項包括: 塑料收縮小外形(DL)封裝 < li>薄收縮小外形(DGG)封裝 薄超小外形(DGV)封裝 80-mil精細間距陶瓷扁平(WD)封裝 25密耳的中心間距 參數 與其它產品相比 D 類鎖存器   ...
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SN74AHCT16373 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

SN74BCT543 八路寄存收發器

'BCT543八進制收發器包含兩組D型鎖存器,用于臨時存儲在任一方向上流動的數據。為每個寄存器提供單獨的鎖存使能(LEAB \或LEBA \)和輸出使能(OEAB \或OEBA \)輸入,以允許在數據流的任一方向上進行獨立控制。 A-to-B使能(CEAB \)輸入必須為低電平才能從A輸入數據或從B輸出數據。如果CEAB \為低電平且LEAB \為低電平,則A- to-B閂鎖是透明的;隨后LEAB的從低到高的轉換將A鎖存器置于存儲模式。 CEAB \和OEAB \均為低電平時,3態B輸出有效,并反映A鎖存器輸出端的數據。從B到A的數據流類似,但需要使用CEBA \,LEBA \和OEBA \輸入。 SN54BCT543的特點是在整個軍用溫度范圍內工作,溫度范圍為 特性 最先進的BiCMOS設計顯著減少了我 CCZ 3-狀態真實輸出 存儲背靠背寄存器 ESD保護超過MIL-STD-883C 2000 V,方法3015 封裝選項包括塑料小外形封裝(DW),陶瓷芯片載體(FK)和扁平封裝(W),塑料和陶瓷300密耳DIP(JT,NT) ...
發表于 10-09 11:00 ? 86次 閱讀
SN74BCT543 八路寄存收發器
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