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基于PXA272微控制器的WINCE文件系統的實現及在手持移動終端上的應用

電子設計 ? 2020-07-08 07:54 ? 次閱讀

引言

在便攜電子設備中,隨著系統復雜性的增加,存儲容量的擴大,嵌入文件系統成為一種必然趨勢。而Flash存儲器由于具有存儲容量大、掉電數據不丟失、何種小以及可多次擦寫等許多優點,正逐步取代其他半導體存儲器件而廣泛應用于便攜電子產品中。在Flash存儲器中使用文件系統,可將存儲空間當作直觀的名稱空間,不用在每次應用開發中都從頭使用存儲器,還可方便地利用標準接口同主系統通信。

本文中,我們將以嵌入式操作系統WINCE為背景,來討論嵌入式手持移動終端中文件系統的實現。

WINCE文件系統結構

WINCE文件系統采用了模塊化設計,允許自定義文件系統、篩選器和多種不同的塊設備類型。文件系統和所有與文件相關的API都是通過FileSys.exe進程來管理的。

FileSys.exe 由下列幾個組件組成:

ROM文件系統

存儲管理器

對象存儲

ROM文件系統是基于ROM的文件系統。用來固化系統信息。

存儲管理器 (Storage Manager),負責管理系統中的存儲設備,以及用于訪問它們的文件系統。存儲管理器功能由系統中的fsdmgr.dll模塊實現。其主要的組成部分為塊設備驅動程序管理器、分區管理器、文件系統驅動程序管理器。存儲管理器組件之間的關系如圖1所示。

基于PXA272微控制器的WINCE文件系統的實現及在手持移動終端上的應用

對象存儲是一個內存堆,由FileSys.exe控制。對象存儲包含RAM系統注冊表、RAM文件系統和屬性數據庫。它們都是FileSys.exe模塊的可選組件。RAM文件系統和屬性數據庫是完全可選的,并且在某些系統中可以根本不存在。

FileSys.exe各組件之間的關系如圖2所示。

操作系統啟動時,NK.exe將直接從ROM文件系統加載FileSys.exe。然后,FileSys.exe對ROM文件系統內的默認注冊表進行初始化。接著,FileSys.exe將讀取注冊表項,以便啟動各種應用程序。

我們在WINCE文件結構的基礎上構建自文件系統。

構建基于PXA272存儲器的嵌入式文件系統

嵌入式手持設備硬件結構如圖3所示。其主要由嵌入式微控制器PXA272,采集單元,顯示單元,存儲單元,通信模塊和電源單元構成。

Intel PXA272處理器是Intel公司推出的32位,基于Xscale架構的高性能的嵌入式芯片。其工作頻率為512MHZ,內部集成64Mb NOR Flash。我們在NOR Flash上基于WINCE的文件結構來構建我們自己的文件系統。

先將Flash劃分位三部分,第一部分存放EBOOT和512K配置文件,第二部分存放32M的NK.BIN,最后一部分劃為32M的文件系統,其具體劃分如圖4所示。

PSM(Peristent Storage Manage)是Inter公司獨有技術,是專門為WEINCE系統定制的,它為各種Flash存儲設備提供了統一的設備接口,支持Inter的CPU架構。我們利用PSM作為存儲管理器,用微軟提供的Flash驅動構建文件系統,支持FAT格式的文件。其系統結構圖如圖5所示。

最后,文件系統的配置文件是一組注冊表值,用于定義有關塊設備和應當如何在系統中使用它的信息。配置文件位于注冊表HKEY_LOCAL_MACHINE SystemStorageManagerProfiles下,每個配置文件都是位于基本配置文件項的下面,以此配置文件名稱標識的項。例如,我們利用了Inter的PSM文件系統,其配置文件位于注冊表HKEY_LOCAL _MACHINESystemStorageManager ProfilesPSMFSD下。Flash驅動的配置文件位于注冊表HKEY_LOCAL_ MACHINEDriversBuiltInStrataFMD下,在此文件系統中,我們使用了微軟自帶的Flash驅動。

結語

此文件系統已經在手持移動終端上得到應用,和上層的數據庫系統實現對接。經過多次測試,此文件系統穩定可靠,效果良好??梢杂脕泶鎯Υ罅繑祿矣帜軡M足不同需求。相對于TrueFFS文件系統,在可靠性、系統資源開銷等方面的性能提高是可觀的,特別是和Inter的Flash相結合時。

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ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM產品的取景器為Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移動應用程序的平板電腦和智能手機

或產品號的產品搜索能力 技術數據表下載和離線咨詢 訪問主要產品規格(主要電氣參數,產品一般說明,主要特點和市場地位) 對產品和數據表 能夠通過社交媒體或通過電子郵件共享技術文檔 適用于Android收藏節?和iOS?應用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android?和iOS?的應用程序,它可以讓你探索的ST功率MOSFET產品組合使用便攜設備。您可以輕松地定義設備最適合使用參數搜索引擎應用程序。您還可以找到你的產品由于采用了高效的零件號的搜索引擎。...
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ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和傳感器產品查找用于移動設備

于Android和iOS電話移動應用 友好的用戶界面 的直觀的產品的選擇: MEMS和傳感器 評估工具 應用 參數搜索使用多個過濾器 部件號搜索 訪問技術文檔 從ST經銷商在線訂購 通過電子郵件或社交媒體最喜歡的部分數字管理經驗分享 支持的語言:英語(中國,日本和韓國即將推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移動應用程序的Android和iOS,提供用戶友好的替代通過MEMS和傳感器網絡產品組合搜索,驅動用戶一起順利和簡單的導航體驗。...
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TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP? mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
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TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲器電源解決方案同步降壓控制器,2A LDO,緩沖參考

AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) I2C兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5175是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5175的游標設置可通過I2C兼容型數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5175不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展...
發表于 04-18 19:35 ? 30次 閱讀
AD5175 單通道、1024位數字變阻器,配有I2C接口和50-TP存儲器

AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

信息優勢和特點 單通道、1024位分辨率 標稱電阻:10 kΩ 50次可編程(50-TP)游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 單電源供電:2.7 V至5.5 V 雙電源供電:±2.5 V至±2.75 V(交流或雙極性工作模式) SPI兼容型接口 游標設置和存儲器回讀 上電時從存儲器刷新 電阻容差存儲在存儲器中 薄型LFCSP、10引腳、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封裝 緊湊型MSOP、10引腳、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封裝產品詳情AD5174是一款單通道1024位數字變阻器,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。 該器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的雙電源供電,也可以采用2.7 V至5.5 V的單電源供電,并提供50次可編程(50-TP)存儲器。AD5174的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入50-TP存儲器之前,可進行無限次調整。AD5174不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供50次永久編程的機會。在50-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將電阻位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引腳LFCSP和10引腳MSOP兩種封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+125°C擴展工業...
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AD5174 單通道、1024位數字變阻器,配有SPI接口和50-TP存儲器

AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 標稱電阻容差誤差(電阻性能模式):±1%(最大值) 20次可編程游標存儲器 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 分壓器溫度系數:5 ppm/°C +9V至+33V單電源供電 ±9V至±16.5V雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 下載AD5292-EP (Rev 0)數據手冊(pdf) 溫度范圍:?55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/12616 DSCC圖紙號產品詳情AD5292是一款單通道1024位數字電位計1,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件能夠在寬電壓范圍內工作,支持±10.5 V至±16.5 V的雙電源供電和+21 V至+33 V的單電源供電,同時確保端到端電阻容差誤差小于1%,并具有20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291和AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機...
發表于 04-18 19:31 ? 66次 閱讀
AD5292 單通道、1%端到端電阻容差(R-TOL)、1024位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

信息優勢和特點 單通道、256/1024位分辨率 標稱電阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校準的標稱電阻容差:±1%(電阻性能模式) 20次可編程 溫度系數(變阻器模式):35 ppm/°C 溫度系數(分壓器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 單電源供電 ±9 V至±16.5 V 雙電源供電 欲了解更多特性,請參考數據手冊 產品詳情AD5291/AD5292屬于ADI公司的digiPOT+? 電位計系列,分別是單通道256/1024位數字電位計1 ,集業界領先的可變電阻性能與非易失性存儲器(NVM)于一體,采用緊湊型封裝。這些器件的工作電壓范圍很寬,既可以采用±10.5 V至±16.5 V雙電源供電,也可以采用+21 V至+33 V單電源供電,同時端到端電阻容差誤差小于1%,并提供20次可編程(20-TP)存儲器。業界領先的保證低電阻容差誤差特性可以簡化開環應用,以及精密校準與容差匹配應用。AD5291/AD5292的游標設置可通過SPI數字接口控制。將電阻值編程寫入20-TP存儲器之前,可進行無限次調整。這些器件不需要任何外部電壓源來幫助熔斷熔絲,并提供20次永久編程的機會。在20-TP激活期間,一個永久熔斷熔絲指令會將游標位置固定(類似于將環氧樹脂涂在機械式調整器上)。AD5291/AD52...
發表于 04-18 19:31 ? 44次 閱讀
AD5291 單通道、1%端到端電阻容差(R-Tol)、256位數字電位計,具有20次可編程存儲器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1 存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復至EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多信息,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
發表于 04-18 19:29 ? 66次 閱讀
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

信息優勢和特點 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存儲器1存儲游標設置,并具有寫保護功能 上電恢復為EEMEM設置,刷新時間典型值為300 μs EEMEM重寫時間:540 μs(典型值) 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 EEMEM提供12個額外字節,可存儲用戶自定義信息 I2C兼容型串行接口 直接讀/寫RDAC2 和EEMEM寄存器 預定義線性遞增/遞減命令 預定義±6 dB階躍變化命令 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情AD5253/AD5254分別是64/256位、四通道、I2C?, 采用非易失性存儲器的數字控制電位計,可實現與機械電位計、調整器和可變電阻相同的電子調整功能。AD5253/AD5254具有多功能編程能力,可以提供多種工作模式,包括讀寫RDAC和EEMEM寄存器、電阻的遞增/遞減、電阻以±6 dB的比例變化、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。主控I2C控制器可以將任何64/256步游標設置寫入RDAC寄存器,并將其存儲在EEMEM中。存儲設置之后,系統上電時這些設置將自動恢復至RDAC寄存器;也可以動態恢復這些設置。在同步或異步通...
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AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存儲器、數字電位計

AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器可保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )產品詳情AD5252是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有256位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄...
發表于 04-18 19:29 ? 145次 閱讀
AD5252 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、256位數字電位計

AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

信息優勢和特點 非易失性存儲器保存游標設置 電阻容差存儲在非易失性存儲器中 1 k ?, 10 k ?, 50 k ? 100 k ? I2C 兼容型串行接口 游標設置回讀功能 線性遞增/遞減預定義指令 ±6 dB對數階梯式遞增/遞減預定義指令 單電源:2.7 V至5.5 V 邏輯操作電壓:3 V至5 V 上電復位至EEMEM設置,刷新時間小于1 ms 非易失性存儲器寫保護 數據保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )產品詳情AD5251是一款雙通道、數字控制可變電阻(VR),具有64位分辨率。它可實現與電位計或可變電阻相同的電子調整功能。該器件通過微控制器實現多功能編程,可以提供多種工作與調整模式。在直接編程模式下,可以從微控制器直接加載RDAC寄存器的預設置。在另一種主要工作模式下,可以用以前存儲在EEMEM寄存器中的設置更新RDAC寄存器。當更改RDAC寄存器以確立新的游標位時,可以通過執行EEMEM保存操作,將該設置值保存在EEMEM中。一旦將設置保存在EEMEM寄存器之后,這些值就可以自動傳輸至RDAC寄存器,以便在系統上電時設置游標位。這種操作由內部預設選通脈沖使能;也可以從外部訪問預設值?;菊{整模式就是在游標位設置(RDAC)寄存器...
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AD5251 I2C, 非易失性存儲器、雙通道、64位數字電位計

AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

信息優勢和特點 雙通道、1024位分辨率 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值) 低溫度系數:35 ppm/°C 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源 SPI兼容型串行接口 非易失性存儲器存儲游標設置 加電刷新EEMEM設置 永久性存儲器寫保護 電阻容差儲存于EEMEM中 26字節額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息 1M編程周期 典型數據保留期:100年 下載AD5235-EP數據手冊 (pdf) 溫度范圍:-40℃至+125°C 受控制造基線 一個裝配/測試廠 一個制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 V62/11605 DSCC圖紙號產品詳情AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和出色的低溫度系數性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調節模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數抽頭調整和游標設置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數據、查找表、系統標識信息等。...
發表于 04-18 19:28 ? 166次 閱讀
AD5235 非易失性存儲器、雙通道1024位數字電位計

AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

信息優勢和特點 1024位分辨率 非易失性存儲器保存游標設置 上電時利用EEMEM設置刷新 EEMEM恢復時間:140 μs(典型值) 完全單調性工作 端接電阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存儲器寫保護 游標設置回讀功能 預定義線性遞增/遞減指令 預定義±6 dB/步對數階梯式遞增/遞減指令 SPI?兼容型串行接口 3 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源供電產品詳情AD5231是一款采用非易失性存儲器*的數字控制電位計**,提供1024階分辨率。它可實現與機械電位計相同的電子調整功能,而且具有增強的分辨率、固態可靠性和遙控能力。該器件功能豐富,可通過一個標準三線式串行接口進行編程,具有16種工作與調整模式,包括便箋式編程、存儲器存儲與恢復、遞增/遞減、±6 dB/步對數階梯式調整、游標設置回讀,并額外提供EEMEM用于存儲用戶自定義信息,如其它器件的存儲器數據、查找表或系統識別信息等。在便箋式編程模式下,可以將特定設置直接寫入RDAC寄存器,以設置端子W–A與端子W–B之間的電阻。此設置可以存儲在EEMEM中,并在系統上電時自動傳輸至RDAC寄存器。EEMEM內容可以動態恢復,或者通過外部PR選通脈沖予以恢復;WP功能則可保護EE...
發表于 04-18 19:28 ? 152次 閱讀
AD5231 非易失性存儲器、1024位數字電位計

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一個EEPROM串行128-Kb SPI器件,內部組織為16kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25128設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和軟件保護 低功耗CMOS技術 SPI模式(0,0& 1,1) 工業溫度范圍 自定時寫周期 64字節頁面寫緩沖區 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或所有EEPROM陣列 1,000,000計劃/時代se周期 100年數據保留 8引腳SOIC,TSSOP和8焊盤TDFN,UDFN封裝 此設備無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準 其他識別具有永久寫保護的頁面 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:13 ? 124次 閱讀
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一個EEPROM串行256-Kb SPI器件,內部組織為32kx8位。它具有64字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25256設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 片上ECC(糾錯碼)使該器件適用于高可靠性應用。 適用于新產品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字節頁面寫緩沖區 具有永久寫保護的附加標識頁(新產品) 自定時寫周期 硬件和軟件保護 100年數據保留期 1,000,000個程序/擦除周期 低功耗CMOS技術 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 工業溫度范圍 8引腳SOIC ,TSSOP和8焊盤UDFN封裝 此器件無鉛,無鹵素/ BFR,以及符合RoHS標準 應用 汽車系統 Communica tions Systems 計算機系統 消費者系統 工業系統 ...
發表于 04-18 19:13 ? 900次 閱讀
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

信息 CAT25040是一個4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,內部組織為512x8位。安森美半導體先進的CMOS技術大大降低了器件的功耗要求。它具有16字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。該器件通過片選()啟用。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 輸入可用于暫停與CAT25040設備的任何串行通信。該器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0和1,1) 16字節頁面寫入緩沖區 自定時寫入周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或整個EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000編程/擦除周期 100年數據保留 工業和擴展溫度范圍 PDIP,SOIC,TSSOP 8引腳和TDFN,UDFN 8焊盤封裝 這些器件無鉛,無鹵素/ BFR,符合RoHS標準...
發表于 04-18 19:13 ? 96次 閱讀
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存儲器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一個EEPROM串行16-Kb SPI器件,內部組織為2048x8位。它們具有32字節頁寫緩沖區,并支持串行外設接口(SPI)協議。通過片選( CS )輸入使能器件。此外,所需的總線信號是時鐘輸入(SCK),數據輸入(SI)和數據輸出(SO)線。 HOLD 輸入可用于暫停與CAT25160設備的任何串行通信。這些器件具有軟件和硬件寫保護功能,包括部分和全部陣列保護。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V電源電壓范圍 SPI模式(0,0& 1,1) 32字節頁面寫入緩沖區 自定時寫周期 硬件和軟件保護 塊寫保護 - 保護1 / 4,1 / 2或全部EEPROM陣列 低功耗CMOS技術 1,000,000個編程/擦除周期 100年數據保留 工業溫度范圍 符合RoHS標準的8引腳SOIC,T SSOP和8-pad UDFN軟件包 應用 汽車系統 通訊系統 計算機系統 消費者系統 工業系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:13 ? 118次 閱讀
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
宁夏11选5遗漏数据查询